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德州仪器推出业界电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET60-V N通道功率MOSFET

作者:admin 发布时间:2021-11-19

 德州仪器推出业界电阻最低的1.2-mm2 FemtoFET60-V N通道功率MOSFET

极小型LGA封装较传统60-V负载开关尺寸小80%

 

(台北讯,2016年7月14日)德州仪器(TI)推出新型60-V N通道功率FemtoFET场效应电晶体,实现业界最低且较传统60-V负载开关还低90%的最低电阻,终端系统功耗因此得以降低。CSD18541F5的1.53-mm×0.77-mm极小型硅基封装尺寸较SOT-23封装内的负载开关小80%。如欲了解更多信息与样品,请参考 。

 

CSD18541F5金属氧化物半导体场效应电晶体((MOSFET))保持典型的54-mΩ导通电阻(Rdson),并经设计与最优化以取代空间受限的工业负载开关应用中的标准小信号MOSFET。这种极小型栅格阵列((LGA))封装的焊盘间距为0.5-mm,易于安装。相关信息请参阅部落格文章“”。

 

CSD18541F5拓展了TI 中的NexFET™技术产品组合至电压更高且适于生产的尺寸。请下载以了解更多有关LGA封装的详细信息。

 

CSD18541F5的主要特点和优势

功耗因10-V闸极(VGS)的超低54-mΩ Rdson较传统60-V负载开关减少90%而得以降低。 超小型1.53-mm×0.77-mm×0.35-mm LGA封装较SOT-23封装中的传统负载开关尺寸小80%,使电路板 (PCB) 的占板面积得以降低。 适于生产的0.5-mm焊盘间距。 集成式静电放电(ESD)保护二极管可防止MOSFET闸极过压。

供货、封装与定价

CSD18541F5的3针脚LGA封装目前可由TI及其授权代理商批量供货,定价为$0.14美元(基本订购量以1,000个为单位)。请下载。

 

关于TI的NexFET功率MOSFET

TI的NexFET功率MOSFET提升了高功率运算、网络、工业和电源应用中的电源效率。此类高频、高效模拟功率MOSFET使系统设计人员能够运用当前最雪铁龙的DC/DC电源转换解决方案。

 

了解更多有关TI电源管理产品系列:

了解TI的完整产品系列。 透过TI的 加入寻找解决方案,获得帮助并分享知识。 透过下载电源参考设计。

 

   

 

关于德州仪器公司

德州仪器(TI)是一家全球性半导体设计制造公司,专门致力于模拟积体电路(IC)和嵌入式处理器的开发。TI拥有全球顶尖人才,锐意创新,塑造技术产业的未来。而今,TI正携手100,000多家客户开创更加美好的明天。

 

更多详情,敬请查阅

 

商标

WEBENCH是德州仪器(TI)的注册商标,E2E是德州仪器(TI)的商标。所有其它商标均归其各自所有者专属。

 

新闻联络人

高诚公关

联络人: Eunice Cheng郑晴

电话:+886-2-2722-5369 分机157

传真:+886-2-6636-8970

电子邮件:

 德州仪器

联络人:Jennifer Cheng 郑惠心/Molly Hui惠茂

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传真: +886-2-2175-2695 / +8621-6359-5581

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